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據新浪財經報道，美國國際貿易委員會 (ITC) 投票決定對特定動態隨機存取存儲器 (DRAM) 設備及其下游產品和組件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))啓動 337 調查(調查編碼：337-TA-1511)。主張對美出口、在美進口和在美銷售的該產品違反了美國 337 條款(侵權美國註冊專利號 12,646,537、12,650,937 )，請求美國 ITC 發佈有限排除令、禁止令。 韓國 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美國 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美國 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美國 Google LLC, Mountain View, California、美國 Super Mi
據澎湃新聞報道，14 名個人消費者及三家小型企業於 6月 25 日在美國加州北區聯邦法院提起反壟斷集體訴訟，指控三星、SK 海力士和美光自 2022 年起串通操縱 DRAM 供應與定價，導致過去四年內存價格上漲約 700%。原告稱三家公司以向高帶寬內存（HBM）轉型爲藉口，人爲削減 DDR3和 DDR4 傳統內存供應，無視"所有經濟和商業邏輯"。訴訟還援引蘋果近期上調 iPad及 Mac 售價，作爲供應限制波及下游產品的佐證。若勝訴，被告需支付三倍賠償金，且訴訟範圍或將擴大至所有采購含 DRAM 產品的消費者與企業。 值得注意的是，三星和 SK 海力士此前曾因本世紀初的價格操縱行爲在美國被判罰款，三星更於 2005 年被處以 3 億美元刑事罰款。投行 Jefferies 預計，內存價格高位短期難以逆轉，2026 年三四季度仍將環比上漲 30%至 50%，最早或需至 2028 年方可出現明顯回落。