同时关联该项目与事件的快讯
据新浪财经报道，美国国际贸易委员会 (ITC) 投票决定对特定动态随机存取存储器 (DRAM) 设备及其下游产品和组件 (II)(Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II))启动 337 调查(调查编码：337-TA-1511)。主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国 337 条款(侵权美国注册专利号 12,646,537、12,650,937 )，请求美国 ITC 发布有限排除令、禁止令。 韩国 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美国 Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美国 Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美国 Google LLC, Mountain View, California、美国 Super Mi
据澎湃新闻报道，14 名个人消费者及三家小型企业于 6月 25 日在美国加州北区联邦法院提起反垄断集体诉讼，指控三星、SK 海力士和美光自 2022 年起串通操纵 DRAM 供应与定价，导致过去四年内存价格上涨约 700%。原告称三家公司以向高带宽内存（HBM）转型为借口，人为削减 DDR3和 DDR4 传统内存供应，无视"所有经济和商业逻辑"。诉讼还援引苹果近期上调 iPad及 Mac 售价，作为供应限制波及下游产品的佐证。若胜诉，被告需支付三倍赔偿金，且诉讼范围或将扩大至所有采购含 DRAM 产品的消费者与企业。 值得注意的是，三星和 SK 海力士此前曾因本世纪初的价格操纵行为在美国被判罚款，三星更于 2005 年被处以 3 亿美元刑事罚款。投行 Jefferies 预计，内存价格高位短期难以逆转，2026 年三四季度仍将环比上涨 30%至 50%，最早或需至 2028 年方可出现明显回落。