高盛：中國半導體數量自給率升至 70%，2030 年資本開支目標 820 億美元

據潮向研究，高盛 8月 24 日發佈“芯片法案”系列第四份年度報告指出，截至 2026年 6 月，中國半導體 IC 數量自給率達 70%，較 2010年 1 月的 38%提升近一倍。高盛將 2030 年中國半導體資本開支預測上調至 820 億美元，較此前預測提高 79%。報告首次覆蓋中國 DRAM 龍頭長鑫存儲，給予買入評級，目標價 129 元。 高盛預計中國 7nm 及以下先進邏輯製程供需缺口將從 2025 年的 92%縮窄至 2035 年的 34%，AI 服務器晶圓需求同期年複合增長率達 42%。基準情景下，中國 AI 芯片市場規模 2030 年將達 6780 億美元，2025至 2030 年年複合增長率 69%；DRAM 市場 2028 年將達 2570 億美元，年複合增長率 50%，其中 HBM 年複合增長率 188%。中國 WFE 支出 2026至 2028 年分別增長 13%、20%和 15%，本土設備廠商在國內 WFE 市場收入佔比將從 31%提升至 38%。儘管國產化率提升，全球設備供應商仍是中國先進製程擴產的關鍵受益者，高盛推薦應用材料、泛林半導體和 Onto Inn